国家/地区 中国（4）
IPC部 B（4）
IPC大类 B82（4）
IPC小类 B82B（4）
IPC B82B003/00（3） B82Y030/00（3） B82Y040/00（3）
C01B031/04（3） C30B029/02（3） C01B031/02（2）
C01B032/188（2） C23C016/26（2） C30B025/18（2）
H01L021/02（2） H01L021/20（2）
发明人 VEERASAMY V（2） VEERASAMY V S（2）
公开年 2011（2）
申请年 2009（2） 
专利权人 GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2）

Substrate for graphene growth, has glass-ceramic body, and multiple metallic islands that is disposed on surface of glass-ceramic body.

BORRELLI N F, FEKETY C R, LIU X, SONG Z

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V