国家/地区 美国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C01（3） B32（2）
H01（2）
IPC小类 B82Y（3）
IPC C01B031/04（3） B82Y040/00（2）
发明人 SUNG C（3）
公开年 2012（2）
申请年 2012（3）
专利权人 SUNG C（2）

Fabricating patterned graphene, comprises forming catalytic layer on substrate and carbon layer of e.g. iron on catalytic layer, photolithographically etching on carbon layer and heating obtained layer to form patterned graphene layer.

SUNG C, LIN I, LIN H, LIN Y, SONG J

Semiconductor structure has semiconductor substrate comprising single crystalline silicon-containing semiconductor material, semiconductor carbide layer and graphene layer including graphene monolayers.

CHU J O, DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A, SUNG C

Making graphene on diamond substrate, comprises applying metal layer to crystallographic face of diamond substrate, and heating diamond substrate under vacuum to convert portion of diamond substrate at crystallographic face into graphene.

SUNG C, SONG J