国家/地区 韩国（4） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（4） B（3） G（2）
IPC大类 C01（4） B01（3） G03（2）
IPC小类 C01B（4）
IPC C01B032/184（3） B01J004/00（2） B01J019/12（2）
B01J019/28（2） G03F001/22（2） G03F001/62（2）
发明人 JOJINWOO（2） KIM B G（2） KIM H Y（2）
KIM S J（2） KIM S K（2） KIMSUNJOO（2）
LEE J G（2） MI K H（2） PARK H（2）
PARK J（2） YANG W S（2）
公开年 2023（3）
申请年 2021（4）
专利权人 KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INST（4）

Pellicle used for exposure to extreme UV rays, comprises substrate having opening formed in central portion, etch stop layer formed on substrate to cover opening, and nanoporous graphene layer in which nanopores are formed on graphene layer, provided on etch stop layer.

KIMHYUNGKEUN, MI K H, KIM S K, JOJINWOO, KIM H Y

Graphene manufacturing apparatus comprises supply unit, moving unit, laser irradiation unit, and collecting unit connected to other side of moving unit to separate and collect graphene powder from graphite oxide powder or graphene oxide powder.

YANG W S, KIM S J, KIMSUNJOO, LEE J G, PARK H, PARK J, KIM B G

Manufacturing graphene comprises disposing graphite oxide powder or graphene oxide powder in laser irradiation area, irradiating laser to graphite oxide powder or graphene oxide powder and recovering graphene powder generated by irradiation.

YANG W S, KIMSUNJOO, LEE J G, PARK H, PARK J, KIM B G, KIM S J

Direct growth method of multilayer graphene through pressure heat treatment, comprises forming etch stop layer, forming metal catalyst layer, forming amorphous carbon layer and directly growing multilayer graphene on seed layer.

KIM H, KIM S K, MI K H, YOO C S, JOJINWOO, KIM H Y, JEONJUNHYUCK, YUNSUNGHO, SUNG K H, LEE S M