国家/地区 美国（3）
IPC部 C（3） H（2）
IPC大类 C01（3） C23（3） H01（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C23C016/455（3）
发明人
公开年 2021（2）
申请年 2021（3）
专利权人 APPLIED MATE.（2）

Processing semiconductor by generating plasma of carbon- and hydrogen-containing precursors, forming layer of graphene on substrate, and halting flow of carbon-containing precursor while maintaining plasma with hydrogen-containing precursor.

INGLE N K, MALLICK A B, SINGHA R S, WANG J, ROY S S

Structure e.g. porous metal-coated structure used for e.g. catalytic application, comprises substrate comprising activated adsorbent material, and metal material deposited on substrate.

PEPIN P, ETHRIDGE K, THOMSON C, HOLBROOK B, ESRIDGE K

Forming layer, comprises e.g. exposing substrate to aromatic precursor in processing chamber, rinsing aromatic precursor from processing chamber, and heating substrate deposit graphene hard mask layer on substrate.

BHUYAN B J, LEONCINI A