国家/地区 美国（3） 台湾（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3） C23（3） H01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C23C016/26（3）
发明人 INGLE N K（2） MALLICK A B（2） SINGHA R S（2）
WANG J（2）
公开年
申请年 2021（2） 
专利权人 APPLIED MATERIALS INC（3）

Processing semiconductor for producing high quality devices and structures, involves delivering carbon-containing precursor and hydrogen-containing precursor to processing region of semiconductor processing chamber, forming layer of graphene on substrate positioned in processing region of chamber.

INGLE N K, MALLICK A B, SINGHA R S, WANG J

Processing semiconductor by generating plasma of carbon- and hydrogen-containing precursors, forming layer of graphene on substrate, and halting flow of carbon-containing precursor while maintaining plasma with hydrogen-containing precursor.

INGLE N K, MALLICK A B, SINGHA R S, WANG J, ROY S S

Forming layer, comprises e.g. exposing substrate to aromatic precursor in processing chamber, rinsing aromatic precursor from processing chamber, and heating substrate deposit graphene hard mask layer on substrate.

BHUYAN B J, LEONCINI A