国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3） H01（3） C23（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B032/186（3）
发明人 BIAN Q（2） BYUN K（2） BYUN K E（2）
JIN C（2） KIM C（2） LEE C（2）
LEE C S（2） LI C（2） SHEN J（2）
SHEN X（2） SHIN H（2） SHIN H J（2）
SHIN K（2） SHIN K W（2） SONG H（2）
公开年 2020（3）
申请年 2019（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Method of forming graphene on substrate, involves treating surface of substrate placed in reaction chamber with plasma, and growing graphene on surface of substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

SHIN K, KIM C, YAMAMOTO K, LEE C, SONG H, LEE E, BYUN K, SHIN H, AN S, SHEN J, JIN C, SHAN B, LI C, SONG X, LI Y, BIAN Q, SHEN X, AN X, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, BYUN K E, SHIN H J, AHN S J

Method for manufacturing multilayer graphene, involves subjecting graphene precursor to chemical vapor deposition on metal substrate containing nonmetal element, manufacturing graphene that is doped with element on metal substrate.

CHO K, YOO M S, LEE H C, CHO K W, ZHAO J, YU M, LI X

Interconnect structure for use in electronic device, has cap layer provided on surface of conductive wiring and which includes nanocrystalline graphene comprising nano-sized crystals.

BYUN K, SHIN K, KIM Y, SHIN H, SONG H, LEE C, KIM C, CHO Y, BIAN Q, SHEN J, JIN Y, SHEN X, SONG X, LI C, JIN C, ZHAO L, BYUN K E, SHIN K W, HUN K Y, SHIN H J, SONG H J, LEE C S, CHO Y C