国家/地区 中国（59） 美国（55） 韩国（44） 日本（35） 世界知识产权组织（26） 欧洲专利局（EPO）（14） 印度（7） 墨西哥（5） 台湾（5） 俄罗斯（4） 巴西（3） 加拿大（3） 西班牙（3）
IPC部 C（128）
IPC大类 C01（128） H01（54） B82（52）
C23（24） B32（19） B05（18）
B01（12） C08（11） C09（8）
C07（6） B29（5） B44（4）
C30（4） H05（4） B22（3）
IPC小类 C01B（128）
IPC C01B031/04（81） C01B031/02（70） B82Y030/00（33）
B82Y040/00（30） B82B003/00（19） H01B001/04（19）
C01B031/00（16） C23C016/26（15） B32B009/00（12）
B82B001/00（8） H01L029/786（8） C08K003/04（7）
H01L021/20（7） B82Y099/00（6） B05D003/02（5）
发明人 CHOI J Y（7） CHOI J（6） SHIN H J（5）
CHOI W（4） CHOI W M（4） HONG B H（4）
LIU J（4） SHIN H（4） AHN J（3）
BAE S（3） BAE S K（3） CHEN Y（3）
CHOI B（3） CHOI B L（3） CHUNG H（3）
公开年 2011（128）
申请年 2010（128）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（13） UNIV SUNGKYU.（10） UNIV SUNGKYU.（6） FUJI ELECTRI.（3）
GRAPHENE SQU.（3） HON HAI PREC.（3） HONGFUJIN PR.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV TIANJIN（3） UNIV TSINGHU.（3）
VORBECK MATE.（3） AHN J（2） BAE S（2） FU W（2）
FUJITSU LTD（2） HONG B H（2） KIM H K（2） KOREA ADV IN.（2）

Cross-type graphene hetero-junction structure is formed by attaching primary graphene on substrate, coating polymethyl methacrylate to graphene, baking, separating polymethyl methacrylate layer, and aligning layer on secondary graphene.

LEE S W, KIM J S

Making graphene involves making graphite oxide substrate by exfoliating graphene oxide sheet in aqueous solution, neutralizing and centrifuging the solution, and evaporating/spin coating the solution on material; and exposing to laser beam.

SOKOLOV D A, SHEPPERD K R, ORLANDO T M

Making graphene, comprises introducing organic solvent/surfactant and graphite material in reaction tank, adding supercritical fluid to allow solvent/surfactant to dissolve in fluid and permeate into graphite material, and removing fluid.

PU N, AN W C, SUNG Y, GER M, WANG C A

Negative-electrode active material used for lithium ion secondary batteries, comprises short-length cup-stack type carbon nanotube having laminate of two or more cup type graphene sheets and cup type graphene sheets with open bottom.

SHIOZAKI S

Method for forming graphene pattern, involves forming pattern on master board, forming metal layer on imprint stamp, forming graphene on metal layer, transferring graphene on substrate, and forming graphene pattern using imprinting method.

PARK H H, YOO S H, KANG H K, LEE J G, KO C G, JUNG S H, SHIN H B, SONG H Y, JANG M C

Method for manufacturing graphene.

PU N, WANG C, SUNG Y, GER M, PU N W, WANG C A, GER M D

Method for preparing graphene material, involves soaking oxidized graphene product in halogenation reagent such as hydroiodic, hydrobromic acid and thionyl chloride, in specific temperature range to form reduced oxidation graphene material.

CHENG H, DU J, PEI S, REN W, ZHAO J

Super hydrophobic graphene, has surface part in which multiple cylindrical projections are formed, where one of projections occupies 20 percent of graphene in total body surface area.

CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Producing nano-structures used for e.g. nanoscale wires involves contacting graphite flake having graphene layers with vapor form of intercalant to form graphite intercalation compound; and exfoliating the graphite intercalation compound.

MERCURI R A

Hydrogen storage structure useful for storing hydrogen used as fuel, comprises many graphene sheets arranged to form stack and many spacers (e.g. graphene spheres) arranged between adjacent graphene sheets in the stack.

PHILLIPS C W, SCANDRETT C L, LLOYD J R, LUO T