国家/地区 美国（4） 中国（3） 日本（3） 世界知识产权组织（3） 韩国（2）
IPC部 C（4）
IPC大类 C01（4）
IPC小类 C01B（4）
IPC C01B031/02（4）
发明人 BAE S（2） BAE S K（2）
公开年 2011（3）
申请年 2010（4）
专利权人 UNIV SUNGKYU.（2） UNIV SUNGKYU.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Forming recrystallized metal layer for growing graphene monolayer involves forming metal layer on substrate; forming layer of dielectric material on the metal layer; and directionally recrystallizing the metal layer.

YAGER T A

Method of transferring larger-sized graphene used in electric circuit, involves removing adhesive and protection layers from graphene layer respectively.

BAE S, CHUNG H, HEO J, JUNG M, KANG S, SEO D, SEO S, WOO Y, BAE S K, CHUNG H J, HEO J S, JUNG M H, KANG S R, SEO S A, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, HUH J, JUNG H

Roll-to-roll transfer of graphene for producing graphene roll, involves transferring graphene layer on material to substrate by passing through roller portion, immersing obtained laminate into etching solution, and removing material.

AHN J, BAE S, HONG B H, KIM H K, BAE S K, JANG H, JANG S, KOO J B, HONG B, KIM H, HUI H B, HYEON A J, GANG B S, GEUN K H

Making graphene used for coating graphene-coatable materials by providing starting material comprising carbonaceous material sulfur and excluding transition metal and heating starting material.

CHENG I F, MCILROY D N, FOUTCH J, GRIFFITHS P R