国家/地区 韩国（3） 美国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 C01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C23C016/26（3） B82Y040/00（2） C01B032/186（2）
C23C016/02（2） C23C016/505（2） C23C016/511（2）
H01L021/285（2） H01L021/768（2）
发明人 LEE C（3）
公开年
申请年
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

Method of forming nano crystalline graphene, involves arranging substrate having pattern in reaction chamber, injecting reaction gas into reaction chamber, reaction gas including carbon source gas, inert gas, and hydrogen gas that are mixed, generating plasma of reaction gas in reaction chamber.

LEE C, JUNG A, SHIN H, SHIN K, SHIN K W, SHIN H J, JUNG A R, LEE C S

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Manufacturing method of graphene device e.g. FET , nanogap device, graphene sensor involves etching protection layer until residual layer made of material for forming protection layer remains on active area of graphene layer.

LEE J, JEON T, KIM Y, LEE C, JUNG Y, LEE J H, JEON T H, KIM Y S, LEE C S, JUNG Y S