国家/地区 中国（4）
IPC部 B（4）
IPC大类 B82（4）
IPC小类 B82Y（4）
IPC C01B031/02（4） C01B031/04（4） B82Y030/00（3）
B82Y040/00（3） B82B003/00（2） C01B032/188（2）
C23F001/00（2） C30B029/02（2） H01L021/02（2）
H01L031/04（2）
发明人 VEERASAMY V（3） VEERASAMY V S（3）
公开年 2011（3）
申请年 2009（4）
专利权人 GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3）

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Solar cell comprises graphene-based conductive layer located on glass substrate, and another second graphene-based conductive layer in contact with semiconductor layer that is located in absorbing layer.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Electronic device comprises porous graphene layer including graphene nanoribbon and electrically connecting two graphene electrodes.

KAERKKAEINEN A M, HAQUE S M, COLLI A, PASANEN P M, JOHANNES K L M, UUSITALO M A, LEHTINIEMI R K, KARKKAAINEN A M, HAQUE S, KARKKAINEN L M J, KARKKAINEN L, UUSITALO M, LEHTINIEMI R, KARKKAINEN L M Y, KAERKKAEINEN L M J