国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3） C23（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/04（3）
发明人 ZHANG Y（3）
公开年 2012（2）
申请年 2012（2） 
专利权人 DENG P（2） GUO H（2） LEI T（2） UNIV XIDIAN（2）
ZHANG K（2） ZHANG Y（2）

Preparing a graphene film through low-temperature fixed-point nucleating comprises e.g. coating layer of carbon source solution on metal substrate, drying, patterning on metal substrate, graphene nucleating, diffusing and cooling.

GAO X, DU C, JIANG H, LI Z, SHI H, ZHANG Y, ZHU P, HUANG D

Structural graphene production on silicon carbide substrate for manufacturing microelectronic devices includes depositing layer of silicon dioxide as mask, coating mask surface, and exposing to form structured pattern.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG Y, ZHANG K, ZHANG F

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y