国家/地区 日本（3） 韩国（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3） 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 印度（2） 台湾（2）
IPC部 C（4）
IPC大类 C01（4）
IPC小类 C01B（4）
IPC C01B031/02（4） C01B031/04（3） B82Y030/00（2）
B82Y040/00（2） C07B061/00（2）
发明人 FENG X（2） MUELLEN K（2） MULLEN K（2）
公开年
申请年
专利权人 BASF CHINA C.（2） BASF SE（2） MAX PLANCK G.（2）

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

New graphene nanoribbon precursors comprising polycyclic aromatic hydrocarbon repeat units, used in graphene nanoribbons for field-effect transistors.

SCHWAB M G S, MUELLEN K, FENG X, DOESSEL L, SCHWAB M G, MULLEN K, DOSSEL L, SCHVAB M G

Functionalized graphene oxide, e.g. for electronic devices, comprises predetermined range of basal plane fraction of carbon atoms in sp2-hybridized state and surface functionalized with predetermined concentration of functional groups.

CHIA P, CHUA L, GOH G S, HO P, WANG S, CHUA R, CHIA P J, GO G S

Electroconductive variable triple layer carbon nanotube used as transistor material, has cylindrical graphene sheets having functional group in surface.

ANDO T, NAKAGAWA K, GAMO M, SATO Y, CHIKU Y, TAKAZAWA Y