国家/地区 韩国（4）
IPC部 C（4）
IPC大类 C07（4）
IPC小类 C07B（4）
IPC C01B031/02（3） C01B031/04（3） B82Y030/00（2）
B82Y040/00（2） C07B061/00（2） C07C015/14（2）
C07C025/22（2） C08G061/10（2） H01L051/00（2）
H01L051/05（2） H01L051/30（2） H01L051/40（2）
发明人 FENG X（2） MUELLEN K（2） MULLEN K（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（2） 
专利权人 BASF CHINA C.（2） BASF SE（2） MAX PLANCK G.（2）

Organic-semiconductor film used for channel in transistor structure, has pseudo graphene structure including two-dimensional network structure which is formed continuously.

KAGAYA M, MATSUMOTO T, KATO D, KATO T

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

New graphene nanoribbon precursors comprising polycyclic aromatic hydrocarbon repeat units, used in graphene nanoribbons for field-effect transistors.

SCHWAB M G S, MUELLEN K, FENG X, DOESSEL L, SCHWAB M G, MULLEN K, DOSSEL L, SCHVAB M G

Functionalized graphene oxide, e.g. for electronic devices, comprises predetermined range of basal plane fraction of carbon atoms in sp2-hybridized state and surface functionalized with predetermined concentration of functional groups.

CHIA P, CHUA L, GOH G S, HO P, WANG S, CHUA R, CHIA P J, GO G S