国家/地区 台湾（4）
IPC部 C（4）
IPC大类 C07（4）
IPC小类 C07D（4）
IPC C01B031/02（3） C01B031/04（3） B82B003/00（2）
B82Y040/00（2） H01L021/02（2） H01L051/00（2）
发明人 MILLEN K（2） MUELLEN K（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（4）
专利权人 BASF CHINA C.（2） BASF SE（2） MAX PLANCK G.（2）

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Composite material for manufacturing capacitor device such as memory device, capacitor, transistor or diode, comprises polymeric material and hydrazine-reduced graphene oxide.

ALMADHOUN M N, ALSHAREEF H N, BHANSALI U S, XAVIER P, ODEH I N, ALMADHOUN M, MADHOUN M, SHARIF H A, BHANSALI Y S, EXAER P

Graphene nanoribbon used for e.g. spintronic device, contains repeating unit having modification(s) chosen from heteroatomic substitution, vacancy, stone-wales defect, inverse stone-wales defect, and hybridized carbon network.

FASEL R, RUFFIEUX P, MUELLEN K, CAI J, FENG X, BERGER R, TSAI J, CAI Y, MULLEN K, MILLEN K