国家/地区 台湾（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C07（3） H01（3） C01（2）
IPC小类 C07D（3）
IPC C01B031/02（2） C01B031/04（2） H01L021/02（2）
H01L051/00（2）
发明人
公开年 2014（2）
申请年 2013（3）
专利权人

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Composite material for manufacturing capacitor device such as memory device, capacitor, transistor or diode, comprises polymeric material and hydrazine-reduced graphene oxide.

ALMADHOUN M N, ALSHAREEF H N, BHANSALI U S, XAVIER P, ODEH I N, ALMADHOUN M, MADHOUN M, SHARIF H A, BHANSALI Y S, EXAER P