国家/地区 韩国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C23（3）
IPC小类 C23C（3）
IPC C25B001/04（3）
发明人 KIM T S（2） SEOK H H（2） WOO K H（2）
公开年 2021（2）
申请年
专利权人 UNIV SUNGKYU.（2）

Producing octahedral transition metal dichalcogenides involves forming transition metal layer on substrate and injecting chalcogenide-containing gas onto the substrate together with plasma treatment.

VINIT K, KIM H U, LEE J, SEOK H, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H, CANADEVINIT

Manufacturing transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction electrode comprises transferring graphene to electrode, depositing transition metal layer on graphene-transferred electrode and injecting plasma-treated sulfur gas.

KIM T S, SEOK H H, LEE I, WOO K H

Manufacturing method of electrode for hydrogen production, involves increasing activity of tungsten carbide nanoflake to hydrogen evolution reaction by removing oxide layer or graphene layer from surface of tungsten carbide nanoflake.

LEE W S, KO Y, BAIK Y J, PARK J, LEE K S, KIM I, JEONG D S, KO Y J, PARK J K