国家/地区 美国（3） 中国（2） 台湾（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C30（3）
IPC小类 C30B（3）
IPC C30B025/04（3）
发明人 FAN S（2） WEI Y（2）
公开年 2013（3）
申请年 2012（3） 
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Making epitaxial structure which is useful to produce electronics comprises forming patterned epitaxial growth surface of substrate, making graphene layer and epitaxially growing epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S

Growing patterned single-crystalline graphene comprises depositing a graphene growth barrier that defines a pattern on a substrate surface, and growing graphene on the substrate surface, around the graphene growth barrier.

ARNOLD M S, GOPALAN P, SAFRON N S, KIM M