国家/地区 中国（4）
IPC部 C（4）
IPC大类 C23（4）
IPC小类 C23C（4）
IPC H01L021/205（3） C23C016/26（2） C30B025/18（2）
H01L021/02（2） H01L021/20（2） H01L029/16（2）
H01L033/00（2）
发明人 FAN F Y（2） FAN S（2） GI Y（2）
WEI Y（2）
公开年 2013（3）
申请年 2012（4）
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2） UNIV XIDIAN（2）

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Direct epitaxial method of graphene by chemical vapor deposition using II-VI semiconductor zinc oxide substrate where graphene-zinc oxide composite is used for piezoelectric device comprises pre-processing substrate and growing graphene.

ZHANG J, HAN D, NING J, HAO Y, CHAI Z, WANG D, YAN Y

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y