国家/地区 美国（69） 中国（61） 韩国（58） 日本（35） 世界知识产权组织（34） 欧洲专利局（EPO）（21） 台湾（14） 德国（4） 加拿大（3） 西班牙（3） 新加坡（3） 印度（2）
IPC部 H（130） C（90） B（66）
G（8） A（2） D（2）
IPC大类 H01（130） C01（68） B82（51）
B32（31） C23（23） C08（19）
B05（14） B01（12） H05（11）
C09（10） G06（4） B23（3）
B81（3） C04（3） C07（3）
IPC小类 H01B（130）
IPC H01B001/04（63） C01B031/02（60） B82Y030/00（38）
B82Y040/00（36） H01B013/00（36） C01B031/04（31）
H01B005/14（28） H01B001/24（17） C23C016/26（16）
B32B009/00（13） C08K003/04（12） H01M004/583（12）
H01M004/62（11） H01B001/02（10） B05D005/12（9）
发明人 WANG Y（7） ZHOU M（7） CHOI J（5）
CHOI J Y（5） SHIN H（5） SHIN H J（5）
HONG B H（4） LI Y（4） CHEN G（3）
FAN F Y（3） FAN S（3） HONG B（3）
HUANG F（3） JIANG K（3） KIM K B（3）
公开年 2012（130）
申请年 2011（62）  2012（44）  2010（24） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（10） HAIYANGWANG .（6） OCEANS KING .（6） HANWHA TECHW.（5）
SAMSUNG TECH.（5） OCEAN S KING.（4） UNIV SUNGKYU.（4） UNIV SUNGKYU.（4）
CHINESE ACAD.（3） HON HAI PREC.（3） HONGFUJIN PR.（3） KOREA ADV IN.（3）
SAMSUNG ELEC.（3） SONY CORP（3） UNIST ACADIN.（3） UNIV TSINGHU.（3）
CHEN G（2） CLEAN ENERGY.（2） GRAPHENE SQU.（2） HARBIN INST .（2）

Method of forming graphene metal matrix composite for e.g. semiconductor device, involves removing solvent containing graphene nanoplatelets to form uniformly oriented graphene layer which is included within metal matrix.

KIM N P, HUANG J P

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene-on-substrate, useful as transparent electrode of e.g. transistor, comprises substrate, first intermediate layer disposed on substrate, graphene disposed on first layer, and second intermediate layer disposed on graphene.

WOO Y, CHOI J, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Graphene-based back electrode material used for polycrystalline cadmium telluride solar cell, has three-dimensional continuous network structure of graphene and binder.

BI H, HUANG F, LIANG J, LIN T

Insulated cable, has conductor provided with insulated wire part, where insulated wire part is made of copper alloy that is coated with graphene layer, and copper alloy plated with hetero-metal.

KWAK I J, KIM J I

Fluid, useful e.g. in drilling, completion, production and remediation of subterranean oil and gas wells, comprises base fluid comprising non-aqueous fluid or aqueous fluid, and nanoparticles comprising e.g. graphene nanoparticles.

MONTEIRO O R, BREGE J J, QUINTERO L, CHAKROBORTY S, LEONARD A D, CHRISTIAN C F, CHAKRABORTY S

Graphene transfer involves forming graphene on both sides of metallic catalyst component, arranging carrier in graphene, exposing graphene, removing catalyst component from exposed portion, and transferring graphene to substrate.

NA D H, YOON J H

Composite heat management material useful e.g. in photovoltaic cell, conductive material and energy storage materials, comprises graphene/porous ceramic heat and electric conductive material filled with phase-change energy-storage material.

HUANG F, ZHOU M

Lithium ion secondary battery used for e.g. electrical machinery, has graphene layers which are provided with concavo-convex portion.

TEPEY O, TAKESHI O, TOSHIHIKO T, KUNIHARU N, OGUNI T, NAGATA T, TAKEUCHI T, NOMOTO K, OSADA T