国家/地区 中国（4）
IPC部 B（4）
IPC大类 B82（4） C01（4） C23（4）
H01（4） C30（3）
IPC小类 B82Y（4）
IPC B82Y030/00（4） C01B031/02（4） C01B031/04（4）
B82Y040/00（3） C30B029/02（3） B82B003/00（2）
C01B032/188（2） H01B001/04（2） H01L031/04（2）
发明人 VEERASAMY V（4）
公开年 2011（4）
申请年 2009（3） 
专利权人 GUARDIAN GLA.（4） GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） VEERASAMY V .（2）

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Solar cell comprises graphene-based conductive layer located on glass substrate, and another second graphene-based conductive layer in contact with semiconductor layer that is located in absorbing layer.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Manufacture of graphene thin film used in metal oxides window electrodes for solid-state solar cells involves disposing catalyst thin film on back support substrate, introducing hydrocarbon, and heating to promote graphene growth.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V