国家/地区 中国（75） 韩国（71） 美国（48） 日本（39） 世界知识产权组织（30） 欧洲专利局（EPO）（19） 台湾（8） 德国（4） 英国（2） 俄罗斯（2）
IPC部 H（119） C（115） B（50）
G（14） D（6） A（3）
F（2）
IPC大类 H01（115） C01（77） B82（30）
C08（21） B01（18） C23（12）
G01（9） B32（7） C30（6）
H05（6） D01（5） C07（4）
C12（4） A61（3） G03（3）
IPC小类 C01B（77） H01L（56） H01M（35）
H01B（24） B82Y（18） C08K（17）
H01G（17） B82B（16） B01J（15）
C08L（14） C23C（12） C08J（8）
B32B（7） G01N（7） C30B（6）
IPC C01B031/02（47） C01B031/04（38） B82B003/00（14）
B82Y040/00（11） C08K003/04（11） H01M004/583（11）
C23C016/26（10） H01L021/336（10） B82Y030/00（9）
H01M004/62（9） H01B001/04（8） H01M004/133（8）
H01M004/58（8） H01L029/786（7） H01M004/13（7）
发明人 WANG Y（33） ZHOU M（33） HWANG S W（17）
SONE C S（12） CHUNG H J（11） PAN J（11）
LIU D（9） ZHONG L（7） WU F（6）
CHA N G（5） KIM J S（5） LEE J H（5）
LIU Z（5） GRILL A（4） KO H D（4）
公开年 2012（207）
申请年 2010（207）
专利权人 HAIYANGWANG .（33） OCEANS KING .（33） SAMSUNG LED .（19） OCEAN S KING.（12）
SHENZHEN OCE.（12） INT BUSINESS.（8） NAT CENT NAN.（6） NAT CENT NAN.（6）
SAMSUNG ELEC.（6） SEKISUI CHEM.（5） WANG Y（5） ZHOU M（5）
CHINESE ACAD.（4） SAMSUNG TECH.（4） EGYPT NANOTE.（3） EMPIRE TECHN.（3）
FUJITSU LTD（3） INST MICROEL.（3） ISLAND GIANT.（3） JANG B Z（3）

Ion device useful in apparatus for analyzing DNA, comprises chamber comprising first and second regions, first electrode in first region, second electrode in second region, and graphene layer between first and second electrodes.

KIM K B, KIM H M, LEE M H

Graphene transistor manufacturing method involves forming drain and gate electrode on insulating layer that is laminated between source and drain regions.

LEE K J, CHOI I S, CHOI S Y, HONG B H

Preparation of graphene modified bismuth molybdate powder comprises adding bismuth molybdenum oxide into dispersing agent, adding hydrazine hydrate solution and concentrated ammonia water, and conducting water bath reaction.

ZHOU F

Circuit apparatus for e.g. electronic integrated circuit device, comprises graphene film which consists of several layers, metal electrode directly joined to graphene film, and another metal electrode directly joined to graphene film.

OKAI M, HIROKA M, WADA Y

Manufacture of resin compound material involves dispersing carbon material in synthetic resin by mixing carbon material having graphene structure, and synthetic resin in subcritical fluid or supercritical fluid solvent.

INUI N, TAKAHASHI K, TSUMURA K, SAWA K

Preparation of reduced graphene oxide in the form of film by contacting graphene oxide and metal oxide or reducible metal oxide with acid.

LIANG M, LUO B, QIU T, WANG J, ZHI L

Transparent conductive film used as flexible transparent electrode, has substrate, and conductive layer comprising graphene and metal oxide, and having sheet resistance and visible-light-region light transmittance of preset range.

LIANG M, LUO B, QIU T, WANG J, ZHI L

Preparing graphene/nano titanium dioxide composite, comprises dispersing nano titanium dioxide and graphene in water/alcohol solution, and reacting nano titanium dioxide and graphene in dispersion solution to obtain product.

LIN Y, LI X, LIN R, ZENG S

Fluorinated graphene oxide/polymer composite material for preparing e.g. super capacitor, comprises fluorinated graphene oxide polypyrrole.

LIU D, WANG Y, ZHOU M

Composite material useful for preparing supercapacitor electrode and lithium ion battery, comprises fluorinated graphene oxide and poly(3-(4-fluorophenyl)thiophene).

LIU D, WANG Y, ZHOU M