国家/地区 美国（3） 欧洲专利局（EPO）（2） 韩国（2） 台湾（2）
IPC部 B（3） C（3） H（2）
IPC大类 B01（3） C01（3） B82（2）
H01（2）
IPC小类 B01J（3） C01B（3） B82Y（2）
H01L（2）
IPC B01J019/08（3）
发明人
公开年 2013（3）
申请年 2013（3）
专利权人

Manufacturing graphene used e.g. as base material for electronic circuits, by attaching support layer on graphene layer, removing catalyst metal layer, disposing substrate on graphene layer, and separating support layer from graphene layer.

MOON J, PARK W, JUNG M, RHO J, SEO B

Fabricating graphene comprises inserting first electrode that is graphite multilayer material and second electrode into electrolyte without contacting, producing potential difference and permitting liquid to enter into first electrode layer.

LING Y, WANG C, LIU J, LING Y C, WANG C P, LIU J Y

Method for forming film of graphene involves placing substrate in processing chamber at reduced pressure, performing surface treatment process on portion of substrate, and providing carbon-containing material in processing chamber.

BOYD D A