国家/地区 美国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3） B05（2） B82（2）
C23（2） H01（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B031/04（2）
C01B032/186（2） C23C016/26（2） H01L021/02（2）
H01L029/16（2） H01L029/775（2） H01L029/778（2）
发明人 BOL A A（3）
公开年 2013（3）
申请年 2012（2） 
专利权人 INT BUSINESS.（3） BOL A A（2）

Semiconductor device i.e. graphene FET, has graphene layer formed on doped semiconductor substrate and contacts and for serving channel layer for FET, where doped semiconductor substrate serves as back gate for FET.

BOL A A, FRANKLIN A D, HAN S

Forming cleaned nanotube-graphene hybrid thin film on a substrate, comprises depositing the nanotube thin-film over a substrate to produce a layer of nanotube thin-film, and removing impurities from surface of layer of nanotube thin-film.

BOL A A, CHANDRA B, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, TULEVSKI G S

Apparatus for synthesizing graphene film on copper foil, has quasi enclosed substrate holder including open side, and cap placed over open side, where substrate is located inside holder for graphene film synthesis.

BOI A A, LI X, BOL A A