国家/地区 日本（3）
IPC部 H（3） B（2） C（2）
IPC大类 H01（3） B82（2） C01（2）
IPC小类 H01L（3） B82Y（2） C01B（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B031/02（2）
C01B032/15（2） C01B032/18（2） C01B032/182（2）
H01L021/28（2） H01L029/06（2） H01L051/05（2）
H01L051/30（2） H01L051/40（2）
发明人
公开年 2014（3）
申请年 2013（3）
专利权人 FUJITSU LTD（3）

Semiconductor device has channel layer whose right edge is bonded with substrate and left edge is floated from substrate, and that is made of graphene by ether bond or ester bond.

JIPPO H

Electronic apparatus, particularly graphene transistor, comprises electrode electrically connected to graphene film, where graphene film has portion whose density of states is higher than another portion in connection portion with electrode.

HARADA N

Wiring structure used for semiconductor device e.g. large scale integration, comprises carbon nanotubes and graphene, which are connected electrically through metal block.

SATO S, KONDO D, SATO M, NIHEI M, KONDO T