国家/地区 日本（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C01（3） H01（3）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y030/00（3） H01L023/532（3） C01B032/186（2）
H01L021/3205（2） H01L021/336（2） H01L021/768（2）
H01L023/522（2） H01L027/11524（2） H01L027/11556（2）
H01L027/1157（2） H01L027/11582（2） H01L029/788（2）
H01L029/792（2）
发明人 SAKAI T（3）
公开年 2018（3）
申请年 2017（3） 
专利权人 TOSHIBA KK（3）

Graphene wiring structure for use in semiconductor device, has multilayer graphene formed on insulating film, where average particle diameter of graphene crystals is larger than width of multilayer graphene.

MIYAZAKI H, SAKAI T, NISHIDA Y, YOSHIDA T, YAMAZAKI Y, KATAGIRI M, SAKUMA N, SAKUMA H

Wiring for semiconductor device, includes first metal portion, multilayer graphene, and second metal portion which are interposed between conductive portions.

KATAGIRI M, SAITO T, SAKAI T, MIYAZAKI H

Graphene structure for use in a semiconductor device, comprises a multilayer graphene that is laminated with graphene sheets, where three interlayer materials are presented between the graphene sheets of the multilayer graphene.

MIYAZAKI H, YOSHIDA T, KATAGIRI M, YAMAZAKI Y, SAKAI T