国家/地区 中国（3）
IPC部 B（3） C（2） H（2）
IPC大类 B82（3） C01（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（3） C01B（2） H01L（2）
IPC B82Y040/00（2） C01B031/04（2） C01B032/194（2）
发明人 TANG C（3）
公开年 2016（2）
申请年 2016（2） 
专利权人 CHINESE ACAD SCI PHYSICS INST（3）

Regulating and controlling graphene band gap comprises preparing graphene sample on substrate, coating electron beam resist, coating electrode, exposing, developing, fixing to form and etching spin-coated electron beam resist.

GU C, ZHANG H, YANG H, TANG C, LI J

Preparing nanoscale graphene structure involves selecting substrate and growing graphene on substrate, depositing chromium film on graphene, etching graphene using ion beam etching technology, removing metallic film to obtain pure nanoscale.

GU C, LI J, QUAN B, YANG H, TANG C, ZHANG H

Graphene nano-structure electronic device preparation method, involves forming medium material on surface of substrate, forming graphene on surface of substrate, and forming rest disconnected graphene in outer side of graphene area.

GU C, LI J, JIN A, YANG H, TANG C, JIANG Q