国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3） H（2）
IPC大类 C23（3）
IPC小类 C23C（3） C30B（2） H01L（2）
IPC C23C014/18（3）
发明人 PENG J（3）
公开年 2020（3）
申请年 2020（3） 
专利权人 UNIV NAT DEF.（3）

Ferromagnetic/graphene/ferromagnetic heteroepitaxial film has graphene layer that is directly epitaxially grown on first heteroferromagnetic layer, and second heteroferromagnetic layer is epitaxially grown on graphene layer.

PAN M, PENG J, HU Y, LI P, QIU W, HU J, CHEN D

Preparing ferromagnetic film epitaxial single-layer graphene involves forming a ferromagnetic film with regular hexagonal lattice properties on an insulating substrate, and matching the insulating substrate properties.

PAN M, QIU W, HU J, LI P, PENG J, HU Y, ZHANG Q

Preparing ferromagnetic/graphene epitaxial interface involves growing ferromagnetic film with hexagonal symmetrical lattice properties on insulating substrate, insulating substrate is same as ferromagnetic film base.

PAN M, QIU W, HU J, LI P, PENG J, WU R, HU Y