国家/地区 中国（46）
IPC部 C（46）
IPC大类 C01（14） C09（13） C08（8）
B01（6） B82（5） C02（5）
C22（3） B32（2） C04（2）
C23（2） H01（2）
IPC小类 C01B（14） C09D（11） C08K（7）
B01J（5） B82Y（5） C02F（5）
C08L（5） C08J（4） C08G（3）
C22C（3） B01D（2） B32B（2）
C01G（2） C04B（2） C23C（2）
IPC C08K003/04（6） C09D007/61（6） C08K003/22（5）
C09D163/00（5） C01B032/184（4） C01B032/194（4）
C09D005/10（4） B82Y030/00（3） B82Y040/00（3）
C01B032/19（3） C01B032/198（3） C08G018/48（3）
C08K013/02（3） C09D007/62（3） C22C001/10（3）
发明人 ZHANG M（46）
公开年 2018（46）
申请年 2018（24）  2017（19）  2016（3） 
专利权人 GUANGZHOU AN.（6） UNIV CENT SO.（6） SHANGHAI INS.（3） GUANGZHOU AN.（2）
HENAN HAINAD.（2） JIANGSU CNAN.（2） QINGDAO VICT.（2） SUN Y（2）
UNIV CHINESE.（2） UNIV GUANGDO.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Preparing ionic liquid modified magnetic graphene oxide complex material comprises e.g. obtaining graphene oxide (GO), dispersing GO in deionized water, ultrasonically treating, adding concentrated ammonia water and mixing.

MA X, ZHANG M, LI J

Preparing graphene oxide/nano-copper oxide complex material comprises e.g. preparing graphite oxide, taking the graphite oxide to obtain graphene oxide and preparing nano copper oxide and.

ZHANG M, CHENG F, LIU P, XIE S

Preparing graphene/nickel complex modified waterborne polyurethane material useful in electromagnetic radiation protection field comprises vacuum-dehydrating, cooling, adding diisocyanate and methyl ethyl ketone, and reacting.

GAO Y, YANG L, CHEN B, JIA T, LI Y, WANG H, ZHANG M

Forming method of crystal diamond blank by mixing raw materials including quartz sand, aluminum hydroxide, borax, zinc oxide, barium carbonate, sodium nitrate and zirconium oxide, melting, forming with graphene powder, heating and polishing.

ZHANG M

Graphene uniform distribution reinforced aluminum alloy comprises silicon, magnesium, graphene, zinc, manganese, titanium, zirconium, beryllium, tin, lead, other unavoidable elements, and balance is aluminum.

ZHANG L, CHE C, GAO J, YI W, FAN G, ZHANG M

Graphene reinforced low-cerium aluminum-silicon-magnesium alloy useful in the automotive industry, comprises e.g. silicon, magnesium, cerium, graphene, iron, zinc, manganese, titanium, zirconium, beryllium, tin, lead and aluminum.

ZHANG L, YI W, CHE C, GAO J, FAN G, ZHANG M

Preparation of doped graphene involves providing substrate, forming protective layer on graphene layer, injecting doping element into graphene layer from upper surface of protective layer using ion implantation process and activating.

ZHANG M, GAO M, HAN X, JIA P, XUE Z, DI Z

Electrochemically preparing nitrogen-doped graphene material comprises e.g. taking alkaline solution and graphite material, applying the alternating current between the two graphite material electrodes for electrochemical reaction.

JING M, WU T, ZHANG J, LI M, ZHANG M

Method for transferring graphene used in flexible electronic application, involves providing substrate, growing graphene on substrate, forming graphene/substrate structure, coating parylene on graphene and removing substrate.

ZHANG M, GAO M, HAN X, XUE Z, DI Z

Preparing nano-hybrid material modified epoxy resin self-lubricating composite coating comprises e. g. disposing aqueous solution of graphene oxide, adding carbon nanotubes, mixing and performing hydrothermal reaction.

CHEN B, LI X, JIA Y, ZHANG M