国家/地区 中国（3）
IPC部 H（3） B（2） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2）
IPC C01B031/04（2） H01L021/336（2） H01L021/768（2）
H01L023/532（2） H01L029/06（2） H01L029/16（2）
H01L029/778（2） H01L051/05（2） H01L051/30（2）
发明人 SANDHU G S（3） SANDHU G（2）
公开年 2013（2）
申请年 2011（2） 
专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC（3）

Memory cell switch for reversibly opening and closing circuit, has ferroelectric material formed between graphene structure and conductive structure, where conductive structure provides switch into on and off states.

SANDHU G S, SANDHU G

Method of forming switch e.g. graphene-containing switch for use as select device in memory device e.g. memory array, involves electrically coupling graphene structure with exposed portion of bottom electrode.

SANDHU G S, SANDHU G

Electrically conductive laminate structure useful in electrical interconnect, comprises graphene region sandwiched between pair of non-graphene regions, where non-graphene region includes electrically conductive non-graphene region.

SANDHU G S