国家/地区 台湾（4）
IPC部 C（4）
IPC大类 C30（4） H01（4） B82（2）
C01（2） C23（2）
IPC小类 C30B（4）
IPC H01L021/20（4）
发明人 FAN S（3） WEI Y（3） FAN F Y（2）
GI Y（2）
公开年 2013（4）
申请年 2012（4） 
专利权人 HON HAI PREC.（3） HONGFUJIN PR.（3） UNIV TSINGHU.（3）

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Making epitaxial structure which is useful to produce electronics comprises forming patterned epitaxial growth surface of substrate, making graphene layer and epitaxially growing epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S

Preparing a semiconductor substrate, useful for forming a multilayer article, comprises forming a metal film on the substrate, contacting metal film surface with a carbon-containing gas and precipitating carbon atoms to form graphene layer.

SEACRIST M R, BERRY V