国家/地区 台湾（4）
IPC部 C（4） H（4）
IPC大类 C07（4）
IPC小类 H01L（4） C01B（3） C07C（3）
C07D（2）
IPC C01B031/02（3） C01B031/04（3） C07C015/20（2）
C07C025/22（2） H01L021/02（2） H01L051/00（2）
H01L051/05（2） H01L051/50（2）
发明人 FENG X（2） MUELLEN K（2） MULLEN K（2）
公开年 2014（4）
申请年 2013（4）
专利权人 BASF CHINA C.（2） BASF SE（2） MAX PLANCK G.（2）

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

New oligophenylene monomer useful in polymeric precursor for preparing graphene nanoribbons that used are in thin film semiconductor of electronic, optical, or optoelectronic device e.g. organic field effect transistor device.

MUELLEN K, FENG X, CAI J, RUFFIEUX P, FASEL R, NARITA A, TSAI J, MULLEN K, MILLEN K

Composite material for manufacturing capacitor device such as memory device, capacitor, transistor or diode, comprises polymeric material and hydrazine-reduced graphene oxide.

ALMADHOUN M N, ALSHAREEF H N, BHANSALI U S, XAVIER P, ODEH I N, ALMADHOUN M, MADHOUN M, SHARIF H A, BHANSALI Y S, EXAER P