国家/地区 Usa（5）
关键词 GRAPHENE（4） CONTACT RESISTANCE（2） FIELDEFFECT TRANSIS.（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（5）
出版时间 2011（2） 2013（2）
机构 IBM TJ WATSO.（3） IBM CORP（2）
作者 HAN SJ（5）

Multifinger Embedded T-Shaped Gate Graphene RF Transistors With High f(MAX)/f(T) Ratio

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, OIDA S, JENKINS KA, LU D, ZHU Y

Stacking Graphene Channels in Parallel for Enhanced Performance With the Same Footprint

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, OIDA S, FARMER DB, SMITH JT, HAN SJ, BRESLIN CM, GIGNAC L

Double Contacts for Improved Performance of Graphene Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, HAN SJ, BOL AA, PEREBEINOS V

Effects of Nanoscale Contacts to Graphene

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, HAN SJ, BOL AA, HAENSCH W

Channel-Length-Dependent Transport Behaviors of Graphene Field-Effect Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, CHEN ZH, BOL AA, SUN YN