国家/地区 美国（3）
IPC部 H（3）
IPC大类 H01（3）
IPC小类 H01L（3）
IPC H01L021/04（2） H01L029/15（2） H01L029/16（2）
发明人 CHEN A（3）
公开年 2010（3）
申请年 2008（3）
专利权人 ADVANCED MIC.（3）

Method for fabricating graphene-based device e.g. FET for electronic application, involves forming graphene layer over FET and forming protective layer over graphene layer.

CHEN A, KRIVOKAPIC Z

Method for forming graphene-based FET device involves forming graphene layer within trench in substrate, to provide device structure such as FET.

CHEN A, KRIVOKAPIC Z

Sidewall graphene device fabricating process, involves forming protruding or mesa structure with sidewall surface, and forming device structure in contact with material layer in fin FET configuration.

CHEN A, KRIVOKAPIC Z