国家/地区 中国（116）
IPC部 B（116）
IPC大类 B82（116）
IPC小类 B82Y（114） C01B（108） B32B（21）
C23C（20） H01L（20） H01B（18）
B82B（16） H01M（15） C08K（8）
H01G（8） B01J（7） B05D（7）
B44C（5） C03C（5） C08L（5）
IPC B82Y040/00（95） C01B031/04（90） B82Y030/00（67）
C01B031/02（56） C23C016/26（14） C01B031/00（13）
H01B001/04（13） B82B003/00（12） B32B009/00（9）
H01B013/00（9） B82B001/00（8） C01B032/194（7）
B32B009/04（6） B82Y099/00（6） H01L029/16（6）
发明人 WANG Y（10） JIANG K（8） LIN X（8）
FAN F Y（7） FAN S（7） XIAO L（7）
ZHOU M（7） LIN X Y（5） WANG J（4）
YUAN X（4） ZHANG X（4） FENG C（3）
FENG X（3） IM H Y（3） LIANG M（3）
公开年 2012（61） 2011（34） 2013（21）
申请年 2011（116）
专利权人 HON HAI PREC.（8） HONGFUJIN PR.（8） UNIV TSINGHU.（8） HAIYANGWANG .（7）
OCEANS KING .（7） SHENZHEN OCE.（7） SAMSUNG ELEC.（4） UNIV ZHEJIAN.（4）
HANWHA TECHW.（3） INT BUSINESS.（3） MAX PLANCK G.（3） NAT CENT NAN.（3）
SAMSUNG TECH.（3） SONY CORP（3） UNIV DONGHUA（3） UNIV TIANJIN（3）
BASF SE（2） CHINESE ACAD.（2） CHINESE ACAD.（2） KUNMING PHYS.（2）

Isocyanate group-modified carbon material contains diisocyanate compound in which isocyanate group couples with graphene-type carbon material.

WADA T, TSUBOKAWA N, TAKUYA W

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I

Making graphene nano-sheets, by placing expandable graphite within chamber, applying vacuum to the chamber, and applying electric current to induction heat expandable graphite within chamber under vacuum to form expanded graphite.

WU Y, GARDNER S J, YU Y

Manufacture of graphene used for e.g. transistor, involves adding substrate to reaction chamber, vacuumizing, introducing inert gas, maintaining oxygen-free atmosphere, generating plasma and introducing organic gas and inert gas.

WANG Y, YUAN X, ZHOU M

Continuous production of graphene comprises cleaning metal deposit, disposing in reaction chamber, maintaining protective gas flow, heating, passing through gaseous carbon-containing substance and carrying out catalytic deposition.

WANG Y, YUAN X, ZHOU M

Preparation of graphene used for, e.g. power supply materials by taking graphite rod as positive and negative electrodes and electrolyte solution of lithium ions as electrolyte, performing ultrasonic treatment, filtering and washing.

YANG X

Preparing thin film containing graphene and/or graphene oxide, comprises dispersing graphene and/or graphene oxide sol in solvent to prepare dispersion liquid, adopting wire rod coating to form wet film on substrate and evaporating solvent.

QIU T, WANG B, FANG Y, LUO B, WANG J, ZHI L, LIANG M, HE H, ZHANG X

Forming graphene layer on surface of substrate, comprises forming silicon-carbide film on free surface of silicon layer and gradually heating substrate until silicon of first row of atoms of silicon-carbide film is sublimated.

OUERGHI A

Manufacture of graphene nano tape for electronic circuit, involves heating precursor material in vacuum in presence of anisotropic metal having specified surface redox potential.

ZHONG D, CHI L, ZACHARIAS H, FUCHS H, MUELLEN K, FENG X, MULLEN K, CHII1 4 L

Preparation of graphene-carbon nanocomposite transparent conductive thin film by mixing oxide-containing graphite and carbon precursor dispersion liquid, placing on substrate film, carbonizing carbon precursor and mixing oxidized graphite.

FANG Y, ZHANG X, LUO B, JIA Y, HE H, QIU T, LIANG M, WANG J, ZHI L