国家/地区 世界知识产权组织（131）
IPC部 C（131）
IPC大类 C01（115） B82（79） H01（67）
C23（30） B32（29） B01（18）
C08（17） C09（17） B05（14）
C07（10） C25（8） C30（8）
G01（7） D01（5） C04（4）
IPC小类 C01B（114） B82Y（76） H01L（43）
H01B（35） B32B（29） C23C（27）
B82B（19） H01M（19） B01J（18）
C08K（15） B05D（14） H01G（13）
C09D（11） C08L（10） C08J（9）
IPC C01B031/04（87） C01B031/02（81） B82Y030/00（67）
B82Y040/00（60） H01B001/04（25） C23C016/26（20）
C01B031/00（16） B82B003/00（15） B32B009/00（12）
H01B013/00（11） H01L021/02（11） C01B032/194（10）
C08K003/04（10） H01L029/16（10） B05D005/12（9）
发明人 QU Y（6） TOUR J M（5） BAE S K（4）
HONG B H（4） AFZALIARDAKANI A（3） BAE S（3）
FENG X（3） KIM H K（3） LEE K（3）
MUELLEN K（3） SUN Z（3） WON D（3）
WON D K（3） YAN Z（3） YUAN D（3）
公开年 2012（67） 2011（39） 2013（25）
申请年 2011（131）
专利权人 WUXI DILIUYU.（6） WUXI SIXTH E.（6） UNIV RICE WI.（5） CENT NAT REC.（4）
EMPIRE TECHN.（4） HANWHA TECHW.（4） INT BUSINESS.（4） KOREA ADV IN.（4）
SAMSUNG TECH.（4） UNIV SINGAPO.（4） CNRS CENT NA.（3） GRAPHENE SQU.（3）
MAX PLANCK G.（3） NAT INST MAT.（3） SEKISUI CHEM.（3） SEKISUI CHEM.（3）
UNIV MANCHES.（3） UNIV PENNSYL.（3） UNIV SINGAPO.（3） UNIV SUNGKYU.（3）

Coproducing carbon nanotube and graphene used in polymer matrix, by decomposition at high temperature of carbon source in gas state, comprises contacting carbon source with catalyst comprising mixture of active catalyst-A and catalyst-B.

BEAUSOLEIL J, SERP P, BACSA R, CAUSSAT B

Manufacture of graphene on polycrystalline silicon carbide used as bearing element in mechanical engineering, involves polishing silicon carbide components, cleaning, and graphitizing polished surface by annealing.

BENNEWITZ R, ASLAN M, WAEHLISCH C F

Producing graphene comprises contacting solid catalyst in divided state comprising mixed oxide with gaseous composition flow comprising carbon source, where solid catalyst has single crystal structure and average crystalline domain size.

BACSA R, SERP P

Preparing graphene i.e. free of metal contamination and magnetic and organic impurities, used to make battery, comprises reacting graphene oxide dispersion in a solvent, with tin compound and optionally with acid compound, and acid washing.

DUBOIS L, GAMBARELLI S, NANJUNDAN A

Isocyanate group-modified carbon material contains diisocyanate compound in which isocyanate group couples with graphene-type carbon material.

WADA T, TSUBOKAWA N, TAKUYA W

Producing graphene nanomesh based charge sensor, by generating holes in graphene to create graphene nanomesh, passivating edge of each hole of mesh, functionalizing passivated edge of each of holes of nanomesh with chemical compound.

AFZALIARDAKANI A, HAN S, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, NISTOR R, TSAI H

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I

Manufacturing film of graphene, comprises depositing metal layer on surface of substrate, and continuously realizing buried carbon rich area inside metal layer by creating and maintaining carbon rich area so as to form film of graphene.

COJOCARU C

System used in e.g. conductive paint, conductive lacquer and electromagnetic shielding comprises device containing a hybrid composite that comprises tubular carbon and graphene in the form of graphene flake or graphene nano platelets.

NGUYEN K C, HIEU D, KHE N, NGUYEN C K, DINH H

One-dimensional conductive nanomaterial-based conductive film used for e.g. light-emitting diode, has substrate, layer with carbon nanotube and/or metal nanorod, and another layer with tungsten oxide, graphene and/or manganese dioxide.

HAN J, LEE G, JEONG H, JEONG S, KIM J, HAN J T, LEE G W, JEONG H J, JEONG S Y, KIM J S