国家/地区 韩国（6） 美国（5） 世界知识产权组织（5） 中国（2）
IPC部 C（6） B（5） H（4）
IPC大类 C01（6） B82（5） C23（5）
H01（4） B01（3） C03（2）
IPC小类 C01B（6） B82Y（5） C23C（5）
H01B（4） B01J（3） C03C（2）
IPC B82Y040/00（5） C01B031/02（5） B82Y030/00（4）
C01B031/04（3） C23C016/26（3） H01B001/04（3）
B01J023/755（2） C03C025/68（2） C23C016/06（2）
C23C016/54（2） H01B013/00（2）
发明人 KIM N（2） KIM N Y（2） SONG Y（2）
SONG Y I（2） WON D（2） WON D K（2）
YOON J（2） YOON J H（2）
公开年 2013（3） 2012（2）
申请年 2012（6）
专利权人 HANWHA AEROSPACE CO LTD（6）

Manufacturing graphene involves preparing a carrier member on which the graphene is formed on one surface, exposing the graphene to dopant vapor, transferring the doped graphene onto a target member, and removing the carrier member.

YOON J, YOON J H

Copper-based thin metal film useful for a catalytic metal for synthesizing graphene, comprises silver.

YOON J, NA D, SONG Y, WON D, YOON J H, NA D H, SONG Y I, WON D K, YUAN D

Manufacture of graphene for, e.g. organic LEDs, involves preparing structure with graphene on surfaces and catalyst, arranging carriers on graphene, and removing catalyst while winding up carriers by rotating rolls facing each other.

KIM N, RYU J, YEONG K N, CHEOL R J, KIM N Y, RYU J C

Graphene transfer method involves attaching end of stacked structure having catalyst metal, graphene and supporting body, to a point of target film; forming second structure by removing the metal and transporting film in roll-to-roll manner.

KIM N, KIM N Y

Graphene synthesis chamber for synthesizing graphene comprises chamber case in which substrate comprising metal thin film, gas supply unit, main heating unit which emits light to inner space to heat substrate; and auxiliary heating unit.

WON D, NAM W, WON D K, NAM W S

Synthesizing graphene, comprises loading catalyst metals into chamber, increasing sizes of grains of catalyst metals, raising temperature inside the chamber while providing vapor carbon source and forming graphene.

SONG Y, KIM H, HONG B, AHN J, AHN J H, HONG B H, KIM H K, SONG Y I