国家/地区 美国（28）
IPC部 C（26） B（24） H（17）
G（4）
IPC大类 C01（24） B82（17） H01（16）
C23（15） B01（9） B32（8）
B29（3） B41（3） H05（3）
B05（2） B44（2） C25（2）
G01（2）
IPC小类 C01B（24） B82Y（16） C23C（15）
H01B（11） B01J（9） B32B（8）
H01L（7） B82B（4） B29C（3）
B41M（3） B05D（2） B44C（2）
C23F（2） C25F（2） G01N（2）
IPC C01B031/02（20） C01B031/04（16） B82Y040/00（13）
C23C016/26（10） B82Y030/00（9） H01B001/04（9）
C01B032/186（6） C23C016/54（5） B01J023/755（4）
B32B038/10（4） B82B003/00（4） C01B032/194（4）
C23C016/46（4） H01L021/02（4） H01L029/16（4）
发明人 WON D（11） WON D K（9） CHO S（8）
YOON J（8） YOON J H（8） SONG Y I（7）
SONG Y（6） CHO S M（5） HONG B（5）
HONG B H（5） NA D（5） NA D H（5）
YUAN D（5） AHN J（4） AHN J H（4）
公开年 2012（10） 2014（5） 2011（4） 2013（3） 2017（3） 2016（2）
申请年 2011（9）  2012（8）  2013（4）  2016（3） 
专利权人 HANWHA TECHWIN CO LTD（28）

Synthesis of graphene involves arranging substrate in inner space, supplying gas and irradiating light to inner space using auxiliary heating unit, which absorbs light emitted by main heating unit, and emits radiant heat toward substrate.

WON D, NAM W

Graphene-based laminate used in e.g. organic light emitting device, transistors, comprises substrate, graphene layer on substrate, and inorganic layer comprising fluorine-containing lithium compound, formed on graphene layer.

PARK C, CHO S, SEO S, SHIN S, PARK C H, CHO S M, SEO S A, SHIN S M

Preparing graphene-based thin-film laminate used in e.g. transistor, comprises conducting cycle having e.g. contacting surface of graphene onto substrate with non-metal precursor gas and activating surface of graphene with plasma N times.

PARK C, CHO S, SEO S, SHIN S, KIM T, KIM S, PIAO Z, SEO S A, SHEN Z, PARK C H, CHO S M, SHIN S M, KIM T K, KIM S Y

Chamber for synthesizing graphene at high-temperature/high-vacuum environment, has auxiliary heater placed between substrate and main heater and for heating auxiliary space between substrate and auxiliary heater for synthesizing graphene.

WON D, NAM W

Manufacturing graphene, comprises preparing support member, disposing carbon layer and catalyst layer, forming graphene, attaching carrier to graphene and forming graphene-forming structure, separating member and removing catalyst layer.

PARK C, CHO S, PARK C H, CHO S M

A graphene composition comprises graphene, acid, oxidizing agent and specific nitrogenous organic compound.

KWON Y D, KIM K S, KIM K, KWON Y

Method for detecting grain boundary of graphene involves oxidizing metal catalyst by reacting laminate of graphene and catalyst metal with an oxide liquid.

LEE E K, YOON J H, LI Y, YOON J, LEE E

Manufacturing graphene film involves preparing catalyst metal having at least surface on which graphene is formed, forming support layer on graphene, and isolating graphene and support layer from catalyst metal.

NA D, LEE E, YOON J, NA D H, LEE E K, YOON J H, LI Y

Graphene for electronic equipment e.g. display device, battery, photoelectric device and solar cell, contains nitrogen-containing organic compound.

NA D H, PARK E S, RYU J C, WON D K, CHEOL R J, NA D, WON D, PARK E, RYU J, YUAN D, YOO J H, LIM Y M, HUH Y

Graphene synthesizer used for synthesizing graphene, comprises heater unit for applying heat to continuous catalytic metal thin film, susceptor unit arranged between catalytic metal thin film and heater, and source material supply unit.

YOON J, YOON J H