国家/地区 世界知识产权组织（4）
IPC部 B（3） H（3）
IPC大类 B82（3） H01（3）
IPC小类 B82Y（3） H01L（2）
IPC B82Y040/00（3） H01L021/02（2） H01L021/36（2）
H01L029/06（2） H01L033/00（2） H01L033/02（2）
H01L033/12（2）
发明人 KIM S（4） KIM S H（3） AN S（2）
AN S J（2） LEE D（2） LEE D G（2）
公开年 2012（2）
申请年 2011（2） 
专利权人 KIM S（4）

Catalyst material for proton exchange membrane fuel cell, comprises metal alloy which is ternary alloy.

KIM S, HANAUER M, BERNER U, SAUTER U, CRAIG N, JOHNSTON C, TUFFILE C

Manufacture of graphene oxide reduced material for forming electrode for silicon-based semiconductor, involves synthesizing graphite oxide flakes from graphite flakes and forming graphene oxide dispersion solution.

JEONG S, LEE G, HAN J, JEONG H, KIM S, HAN J T, JEONG H J, JEONG S Y, KIM S H, LEE G W

Compound semiconductor manufacturing method, involves forming graphene-derived material layer on selected substrate, and connecting compound semiconductor layer to graphene-derived material layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, AN S, LEE D, KIM S

Compound semiconductor device for light emitting device i.e. LED, has oxidation graphene layer provided with oxidation graphene sheets on part of surface of substrate, and buffer layer arranged between substrate and semiconductor layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, LEE D K, AN S, LEE D, KIM S