国家/地区 韩国（6） 美国（6） 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 H（5） B（4） C（3）
IPC大类 H01（5） B82（3） C01（2）
IPC小类 H01L（4） B82Y（3） C01B（2）
H01B（2）
IPC H01L029/16（3） C01B031/02（2） H01B013/00（2）
H01L021/02（2） H01L021/20（2） H01L021/36（2）
H01L029/78（2）
发明人 LEE J（6） LEE J H（5） BYUN K（2）
BYUN K E（2） CHUNG H（2） CHUNG H J（2）
HEO J（2） HEO J S（2） JEON T（2）
JEON T H（2） KIM Y（2） KIM Y S（2）
PARK S（2） PARK S J（2） SEO D（2）
公开年 2014（6）
申请年 2013（5） 
专利权人 LEE J（6）

Graphene lithium-ion capacitor consists of cathode, anode formed using graphene material, sacrificial lithium electrode which is electrically connected to anode, membrane which disposed between cathode and anode, and electrolyte.

SEO H, PARK K, KIM K, KIM I, YANG K, LEE J, HUN S, KIHOON P, KWANGHEON K, ILHWAN K, KWANGSUK Y, JAESEOK L, YANG G

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H

Manufacture of graphene for fabricating electronic device and display device, involves forming silicon carbide thin film on substrate, forming metal thin film on silicon carbide thin film, and heating to obtain metal composite layer.

LEE D W, SHIN H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, WOO Y, LEE J, CHUNG H, HEO J, SHIN H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, WOO Y S, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S

Tunneling field-effect transistor (TFET) for controlling current tunneling through semiconductor between graphene channel and electrode, has gate insulating layer that is formed on graphene channel of semiconductor layer.

HEO J, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, LEE J, CHUNG H, HEO J S, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, LEE J H, CHUNG H J, XU D, HUH J, JUNG H

Nanosensor, has insulating layer provided with pore, and marker element arranged adjacent to graphene layer and identifies position of graphene layer that is arranged on insulating layer.

JEON T, LEE J, SHIM J, LEE D, EOM K, JEONG H, JEON T H, LEE J H, SHIM J Y, LEE D H, EOM K S, JEONG H J

Manufacturing method of graphene device e.g. FET , nanogap device, graphene sensor involves etching protection layer until residual layer made of material for forming protection layer remains on active area of graphene layer.

LEE J, JEON T, KIM Y, LEE C, JUNG Y, LEE J H, JEON T H, KIM Y S, LEE C S, JUNG Y S