国家/地区 韩国（4）
IPC部 H（4）
IPC大类 H01（4）
IPC小类 H01L（3）
IPC H01L021/768（2） H01L023/532（2） H01L029/16（2）
H01L029/778（2） H01L029/78（2）
发明人 LEE C（3） LEE C S（3） LEE J（3）
PARK S（3） LEE J H（2） PARK S J（2）
公开年 2015（4）
申请年 2014（2）  2015（2） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（4）

Electron-emissive element, has graphene emitter adhered on emitter supporting unit and metal mesh, insulating layer provided with gate electrode, and gate supporting unit supported with graphene gate.

PARK S, LEE D, KIM I, SUNG J, LEE C, KANG D, YU E, PARK S H, LEE D G, KIM I H, SUNG J K, LEE C S, KANG D S, YU E A

Wiring structure for electronic device comprises conductive material layer and nanocrystalline graphene layer.

LEE C, SHIN H, PARK S, IM D, PARK H, SHIN K, LEE J, LIM H, LEE C S, SHIN H J, PARK S J, IM D H, SHIN K W, LEE J M, LIM H J, PIAO X

Electrode connecting structure for electronic device, has metal layer that is formed on adhesion layer, which is disposed on graphene layer.

LEE J, LEE C, PARK S, LEE J H, LEE C S, PARK S J

Semiconductor device for electronic apparatus, has graphene layer that is disposed on and connects source and semiconductor element, and spaced apart from drain.

WENXU X, KIM Y, MOON C, PARK Y, YANG W, LEE J, KIM Y S, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, LEE J Y, LEE J H