国家/地区 日本（4）
IPC部 C（4） B（2） G（2）
IPC大类 C01（4） C23（4） C30（2）
G01（2）
IPC小类 C01B（4） C23C（4） C30B（2）
G01N（2）
IPC C01B032/186（3） C23C016/26（3） C01B032/182（2）
C23C014/06（2）
发明人 WANG H（3） XIE H（3） XIE X（3）
CHEN L（2） HE L（2） JIANG M（2）
TANG S（2）
公开年 2017（2）
申请年 2015（2） 
专利权人 SHANGHAI INST MICROSYSTEM INFORMATION（4）

Graphene boundary control method comprises providing an insulating substrate, placing in a growth chamber, introducing first reaction gas and controlling the flowrate of first reaction gas.

WANG H, CHEN L, HE L, XIE H, WANG X, XIE X

Manufacture of gas sensor for nitrogen oxide, involves placing microheater platform substrate having graphene-covered surface, to chemical vapor deposition reactor, injecting inert gas, hydrogen and sulfur source gas, reacting and cooling.

LI T, GUO L, LIANG C, WANG Y

Method of growing graphene used in e.g. electronic devices, involves heating insulated substrate placed in growing cavity, introducing gas containing catalytic elements into cavity, and pumping carbon source to cavity to grow film.

WANG H, TANG S, LU G, WU T, JIANG D, DING G, ZHANG X, XIE H, XIE X, JIANG M

Preparing graphene nano belt used for preparing electronic devices, involves carrying out metal catalyzed etching method to obtain nano strip shaped groove structure set with hexagonal boron nitride groove module.

HE L, JIANG M, LI L, XIE X, TANG S, ZHANG D, XIE H, WANG H, CHEN L