国家/地区 中国（4） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（4） B（2） C（2）
IPC大类 H01（4） B82（2） C01（2）
IPC小类 B82Y（2） C01B（2） C01D（2）
H01L（2） H01M（2）
IPC B82Y040/00（2） B82Y099/00（2） C01B032/215（2）
C01D015/00（2） H01L021/20（2） H01L021/336（2）
H01L029/06（2） H01L029/78（2） H01M004/505（2）
H01M004/525（2） H01M004/587（2） H01M010/0525（2）
H01M010/0563（2） H01M010/54（2）
发明人 YIN H（4） LUO Z（2） ZHU H（2）
公开年 2023（2）
申请年 2022（2） 
专利权人 YIN H（4）

Plasma repairing 622 type ternary lithium battery cathode graphite involves disassembling waste 622-type lithium battery, connecting compacted waste anode and cathode, eluting electrolyte component with methanol, washing various lithium salts, rectifying electrolyte solution, evaporating and drying.

YIN H

Method for repairing 523-type ternary lithium battery positive electrode plasma by plasma, involves disassembling waste 523 type ternaries to obtain battery waste positive electrode and waste graphite negative electrode, followed by filling with sodium hydroxide-lithium nitrate mixture.

YIN H

Forming graphene nano-ribbon to form metal-oxide-semiconductor field effect transistor involves forming stack of seed/growth blocking layer on insulating substrate, then patterning and growing graphene nano-ribbon at seed layer side surface.

LIANG Q, LUO Z, YIN H, ZHU H

Semiconductor device, has cap layer set on gate stack and sidewall surrounding gate stack and cap layer, and semiconductor layers epitaxially grown on exposed graphene layer, where metal contact layers are formed on semiconductor layers.

YIN H, LUO Z, ZHU H