国家/地区 美国（6） 韩国（5）
IPC部 B（6） H（6） C（5）
IPC大类 H01（6） B82（5） C01（4）
B32（3） C23（2）
IPC小类 H01L（6） B82Y（5） C01B（4）
B32B（3） C23C（2）
IPC H01L029/16（6） B82Y030/00（5） C01B031/02（4）
H01L021/02（4） B82Y040/00（3） H01L029/06（3）
H01L029/778（3） H01L029/786（3） B32B009/04（2）
B82Y010/00（2） B82Y099/00（2） C01B031/04（2）
H01L021/20（2） H01L021/265（2） H01L029/78（2）
发明人 AHN J（6）
公开年 2014（3） 2012（2）
申请年 2012（2）  2013（2） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（6）

Making graphene structure involves depositing metal layer over silicon carbide substrate, and performing first heat treatment on substrate over which metal layer is deposited to form composite layer and electrically neutral graphene layer.

AHN J, SHIN H, SONG I, AHN J R, SHIN H C, SONG I K

Graphene-layered structure, useful in solar cells, transistor and in transparent electrode, comprises ion implantation layer in silicon carbide thin film, and graphenized silicon carbide surface layer on the ion implantation layer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J

Graphene semiconductor, useful in electrical device e.g. FET, single electron transistor and LED, comprises graphene and a metal atomic layer comprising a metal i.e. sodium disposed on graphene which transfers charge with the graphene.

AHN J, SEO J, PARK J, JEON C, AHN J R, JEON C H, PARK J H, SEO J T

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Three-dimensional graphene structure useful as next-generation material for electronic device e.g. display device and transparent electrode for solar cell comprises a layer of graphene having periodically repeated three-dimensional shape.

SHIN H, CHOI J, PARK J, AHN J, AHN J R, CHOI J Y, PARK J H, SHIN H J

Graphene composition, useful in electrical device, preferably e.g. sensor, bipolar junction transistor, field effect transistor and light emitting diode, comprises a graphene monolayer and an alkali metal disposed on the graphene monolayer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, JEON C, AHN J R, CHOI J Y, JEON C H, SHIN H J