国家/地区 美国（4）
IPC部 H（4） B（2）
IPC大类 H01（4） B82（2）
IPC小类 H01L（4） B82Y（2）
IPC H01L029/16（4） H01L051/05（3） B82Y010/00（2）
B82Y040/00（2） B82Y099/00（2） H01L021/02（2）
H01L021/28（2） H01L029/06（2） H01L029/10（2）
H01L029/66（2） H01L029/775（2） H01L029/78（2）
H01L051/00（2）
发明人 GRILL A（4）
公开年 2013（2） 2014（2）
申请年 2013（4）
专利权人 INT BUSINESS.（4） GLOBALFOUNDR.（2）

Semiconductor structure has graphene nanoribbon in which portion overlapped by gate structure defines channel region of semiconductor structure.

COHEN G, DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A

Manufacture of semiconductor structure used as device channels, involves forming silicon carbide fin having at least bare sidewalls on surface of substrate, forming graphene nanoribbon on each bare sidewall of silicon carbide fin.

COHEN G M, DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A

Forming graphene layer directly on a substrate e.g. single crystalline sapphire substrate which is used in structure, comprises depositing carbon atoms that form graphene layer on top surface of substrate.

CHU J O, DIMITRAKOPOULOS C D, FREITAG M O, GRILL A, MCARDLE T J, WISNIEFF R L

Semiconductor structure used in e.g. cellular phone, personal computer, has ordered array of parallel graphene nanoribbons located on upper surface of substrate.

DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A, MCARDLE T J