国家/地区 韩国（7） 欧洲专利局（EPO）（5） 美国（5） 世界知识产权组织（5） 日本（2）
IPC部 B（7） C（6） H（4）
D（3）
IPC大类 B82（5） C08（4） H01（4）
C01（3） D01（3） D06（3）
B01（2） D02（2）
IPC小类 B82Y（5） C01B（3） C08J（3）
D01D（3） D01F（3） D06M（3）
C08K（2） D02J（2） H01B（2）
H01L（2）
IPC B82Y040/00（4） B82Y030/00（3） C08J005/00（3）
D01D001/02（3） D01D005/06（3） D01F001/09（3）
D01F006/14（3） D01F006/16（3） C01B031/04（2）
C08K003/04（2） D01D010/02（2） D01F001/10（2）
D01F008/04（2） D01F008/18（2） D01F009/12（2）
发明人 KIM S H（8）
公开年 2012（8）
申请年 2011（4）  2012（3） 
专利权人 UNIV HANYANG.（3） AN S（2） KIM S（2） KUMOH NAT IN.（2）
LEE D（2） LG SILTRON I.（2） SK SILTRON C.（2）

Manufacturing method of nanoporous membrane used in separation device, involves transferring graphene nanostructure with pore of columnar structure to upside of columnar structure.

LEE D S, PARK S H, CHOI S Y, JUNG M Y, KIM S H

Manufacture of conductive polymer filler used in thermoplastic resin composition, involves preparing graphene microcapsules surrounded by thermoplastic fiber layer, and flocculating obtained microcapsules.

KIM S H

Graphene composite fiber used for knots, spring structures, and textiles, comprises graphene and polymer, and maintains wrinkled structure of graphene in fiber state.

KIM S J, SHIN M K, KIM S H, JEONG K S, KYOON S M, HYEONG K S

Manufacture of graphene fiber used for e.g. super capacitor, involves preparing dispersion liquid by dispersing graphene with surfactant in solvent, and preparing composite fiber by mixing dispersion liquid, wet-spinning and drying.

KIM S J, SHIN M K, KIM S H, JEONG K S, KYOON S M, HYEONG K S

Hybrid polymer composite fiber for artificial muscle, strain sensor, smart fiber, wearable device and bulletproof vest, is self-aligned hybrid polymer composite fiber including graphene and carbon nanotubes bonded through hydrogen bond.

KIM S J, SHIN M K, KIM S H, JEONG K S, KYOON S M, HYEONG K S

Manufacture of single-layered reduced graphene oxide dispersion solution for forming transparent conductive film, involves synthesizing powder-form oxidized graphite flakes using graphite flakes, dispersing by shear stress, and reducing.

JEONG S Y, LEE G W, HAN J T, JEONG H J, KIM S H, YEOL J S, UNG L G, TAK H J, JIN J H, HUN K S

Compound semiconductor manufacturing method, involves forming graphene-derived material layer on selected substrate, and connecting compound semiconductor layer to graphene-derived material layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, AN S, LEE D, KIM S

Compound semiconductor device for light emitting device i.e. LED, has oxidation graphene layer provided with oxidation graphene sheets on part of surface of substrate, and buffer layer arranged between substrate and semiconductor layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, LEE D K, AN S, LEE D, KIM S