国家/地区 韩国（4） 美国（4）
IPC部 B（4） H（3） C（2）
IPC大类 B82（3） H01（3） B29（2）
B32（2） B41（2） C01（2）
C23（2）
IPC小类 H01L（3） B29C（2） B32B（2）
B41M（2） B82Y（2） C01B（2）
C23C（2）
IPC B32B037/26（2） B32B038/10（2） B32B043/00（2）
B82Y040/00（2） C01B031/02（2） C23C016/26（2）
发明人 KIM Y（4）
公开年 2012（2） 2014（2）
申请年 2013（2） 
专利权人 KIM Y（4）

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H

Manufacturing method of graphene device e.g. FET , nanogap device, graphene sensor involves etching protection layer until residual layer made of material for forming protection layer remains on active area of graphene layer.

LEE J, JEON T, KIM Y, LEE C, JUNG Y, LEE J H, JEON T H, KIM Y S, LEE C S, JUNG Y S

Graphene transferring method, involves adhering heat exfoliation sheet with target substrate, and pressurizing heat exfoliation sheet pressurized with graphene according to atmospheric condition.

HONG B H, CHOI J, KIM Y, KIM K S, KANG J, KIM H, CHOI J B

Thin-film transistor substrate for liquid crystal displays comprises insulating substrate; passivation film with contact hole exposing portion of drain electrode; and pixel electrode formed of carbon composition of carbon nanotubes/graphene.

NING H L, JEONG C, PARK J, KIM S, CHO S, KIM Y, BYUN J, JEONG C O, PARK J Y, KIM S G, CHO S H, KIM Y H, BYUN J S