国家/地区 美国（55）
IPC部 C（30） H（30） B（20）
G（12） A（4） D（3）
IPC大类 H01（30） C01（19） B82（9）
B01（7） C08（6） C23（6）
G03（6） G01（5） A61（3）
C07（3） C09（3） C25（3）
D01（3） B29（2） B32（2）
IPC小类 H01L（20） C01B（19） B82Y（9）
B01J（7） C08K（6） C23C（6）
G03F（6） C08L（5） H01B（5）
G01N（4） H01M（4） C08J（3）
D01F（3） H01G（3） B01D（2）
IPC C01B031/04（10） C01B031/02（9） B82Y040/00（8）
C08K003/04（6） B82Y030/00（5） G03F001/62（5）
H01L051/00（5） C01B032/194（4） C08L101/00（4）
G03F001/64（4） B01J021/18（3） B82Y099/00（3）
C01B031/00（3） C01B032/192（3） C01B032/198（3）
发明人 LEE H（55）
公开年 2021（10） 2014（8） 2022（8） 2015（5） 2016（5） 2023（5） 2013（4） 2012（3） 2018（3） 2017（2）
申请年 2021（11）  2013（6）  2014（6）  2015（6）  2011（5）  2020（5）  2016（4）  2022（4）  2019（3）  2012（2） 
专利权人 UNIV SUNGKYU.（22） SAMSUNG ELEC.（8） TAIWAN SEMIC.（8） BASIC SCI IN.（4）
KOREA INST S.（4） HYUNDAI MOTO.（3） UNIV SUNGKYU.（3） GRAPHENEALL .（2）
KIA CORP（2） KOREA ADVANC.（2） NANOTEK INST.（2） UNIV PUSAN N.（2）
UNIV SUNGKYU.（2）

Three-terminal synaptic device comprises drain electrode provided on substrate and spaced apart from each other, channel layer provided on substrate, source electrode, and drain electrode, ion reservoir layer configured to store active ions, gate electrode provided on ion reservoir layer.

CHOI W, HWANG H, LEE K, KWON J, LEE H, LEE J, NOH S, NOH S J, YI J S, KWON J H, LEE G M, HWANGHYUNSANG

Method for forming pellicle assembly in membrane stretching table utilized in deep ultraviolet lithography for processing semiconductor wafer substrate, involves affixing pellicle membrane to mounting frame to obtain pellicle assembly.

LIN C, LIEN T, LEE H, TSAI P, HSU P

Electronic device has substrate having channel between source and drain, gate electrode and film structure with first ferroelectric layer, crystallization barrier layer and second ferroelectric layer sequentially on channel, where average sizes of crystal grains of ferroelectric layers, is preset.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, LI Z, LI Y, XU Z

Electronic device used in ferroelectric materials, comprises channel between source and drain, gate electrode on substrate and facing channel, ferroelectric thin film structure between channel and gate electrode, crystallization barrier layer has dielectric material and second ferroelectric layer.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, HEO J S, LEE Y S, LEE H S, NAM S G, MOON T H, YOUL B, HA L, HO L J

Preparing graphene useful in transistor, comprises supplying substituted alkyne based precursor to chamber including first zone and second zone, vaporizing or sublimating precursor in first zone, and depositing sublimed precursor.

LEE H Y, SEO S, CHOI J, LEE H

Protection assembly for use during optical lithography patterning process, has outer surface and inner surface, which are connected with each other, where conformal coating is formed on outer surface of protective film.

LIN J, GAO C, LI X, LIAN D, XU B, HSU P, LIEN T, LEE H, GAU T, LIN C

Method for forming thin film assembly of film-shaped object, such as semiconductor wafer, involves reducing thickness of film to obtain thin film, and stretching membrane using stretching frame to obtain extended membrane.

LIN J, GAO C, CHEN L, LIAN D, XU B, LI X, LIN C, GAU T, LIEN T, HSU P, LEE H

Fiber manufacturing method excited by metal ion light energy, involves passing fiber spinning through rollers so that rollers stretch fiber spinning, and cooling and shaping drawn fiber spinning to form fiber product.

LEE H H, LEE H

Electrode catalyst useful for water electrolysis including for oxygen evolution reaction and hydrogen evolution reaction in alkaline seawater, comprises first transition metal foam, and metal double hydroxide/metal oxide mixed layer.

LEE H Y, AMOL Z, AMOL J, LEE H

Water splitting catalyst for use in water splitting system, and oxygen evolution reaction or hydrogen evolution reaction, comprises porous carbon layer, bimetallic metal alloy core dispersed on porous carbon layer, and single-atom precious metal dispersed on bimetallic metal alloy core.

KUMAR A, LEE J, LEE H, LEE H Y, KUMAASHWANI