国家/地区 台湾（16） 美国（15） 世界知识产权组织（14） 欧洲专利局（EPO）（13） 韩国（13） 中国（12） 日本（12） 印度（9） 以色列（6） 新加坡（6） 俄罗斯（5）
IPC部 C（16） B（11） H（11）
IPC大类 C01（16） H01（11） B82（9）
C07（8） C08（7） B32（2）
C23（2） C25（2）
IPC小类 C01B（16） B82Y（9） C07C（7）
C08G（7） H01L（6） H01B（4）
B82B（3） C07B（3） H01G（3）
B32B（2） C08L（2） C23C（2）
C25B（2） H01M（2）
IPC C01B031/04（15） B82Y030/00（8） C01B031/02（8）
B82Y040/00（7） C08G061/10（7） C01B032/182（6）
C07C015/14（4） C07C025/18（4） C07C025/22（4）
H01B001/04（4） B82B003/00（3） C01B031/00（3）
C01B032/184（3） C07C015/20（3） H01L029/16（3）
发明人 MULLEN K（17）
公开年 2013（7） 2015（4） 2014（3） 2011（2）
申请年 2013（5）  2012（4）  2011（3）  2014（3） 
专利权人 BASF SE（15） MAX PLANCK G.（15） BASF CHINA C.（9） BASF AG（5）
BASF SCHWEIZ.（3） MAXPLANCKGES.（3） EMPA EIDGENO.（2） EMPA MATERIA.（2）
FENG X（2）

Soluble graphene quantum dot used in light-emitting material and organic light-emitting device, comprises anthracenyl N-alkyl maleimide functional group at edge.

SHIN H, NIU W, MUELLEN K, LIU J, WU F, FENG X, KIM S, LIANG P, WHOOPENG, MULLEN K, WENHUI N, SHIN H J

New ortho-terphenyl derivatives used for preparing graphene nanoribbons for thin film semiconductor for use in optical device, such as organic field effect transistor device, organic photovoltaic device or organic light-emitting diode.

SCHWAB M G, MULLEN K, FENG X, DUMSLAFF T, RUFFIEUX P, FASEL R, MUELLEN K

Preparation of graphene used as exciting material, involves thermally pretreating substrate in chemical deposition chamber using gaseous or supercritical oxidant, and preparing graphene on pre-treated surface by chemical deposition.

STRUDWICK A, SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, WEBER N, BINDER A, MULLEN K, STRUDWICK A J, WEBER N E

Method for preparing graphene by electrochemical exfoliation, by bringing electrode, which comprises carbon starting material, in contact with liquid electrolyte which is ionic liquid.

VENKATARAMAN S S, KURKINA T, NATHANWALLESER T, PARVEZ K, FENG X, MUELLEN K, MULLEN K

Graphene nanoribbon comprises repeating unit comprising edge carbons which can unambiguously be assigned as zigzag or cove type carbon atoms.

SCHWAB M G, MUELLEN K, FENG X, YANG B, DUMSLAFF T, FASEL R, RUFFIEUX P, LIU J, CAI J, SANCHEZSANCHEZ C, MULLEN K, SANCHEZ S C, TSAI J, MILLEN K

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

Forming supercapacitor involves preparing graphene film on substrate; preparing in-plane graphene electrodes of interdigital structure and current collector of interdigital structure; and adding an electrolyte in contact with the electrodes.

SCHWAB M G, MUELLEN K, FENG X, WU Z, MULLEN K

New oligophenylene monomer useful in polymeric precursor for preparing graphene nanoribbons that used are in thin film semiconductor of electronic, optical, or optoelectronic device e.g. organic field effect transistor device.

MUELLEN K, FENG X, CAI J, RUFFIEUX P, FASEL R, NARITA A, TSAI J, MULLEN K, MILLEN K

Graphene nanoribbon used for e.g. spintronic device, contains repeating unit having modification(s) chosen from heteroatomic substitution, vacancy, stone-wales defect, inverse stone-wales defect, and hybridized carbon network.

FASEL R, RUFFIEUX P, MUELLEN K, CAI J, FENG X, BERGER R, TSAI J, CAI Y, MULLEN K, MILLEN K

Aerogel based on graphene doped with nitrogen and boron used as electrode and electrocatalysts for oxygen reduction reactions, and in batteries and supercapacitors.

SCHWAB M G, MUELLEN K, FENG X, WU Z, MULLEN K, WU Z S, SCHWAB M G S, MILLEN K