国家/地区 日本（3） 美国（2）
IPC部 H（3）
IPC大类 H01（3）
IPC小类 H01L（3）
IPC H01L021/3205（3） H01L021/768（3） H01L023/52（3）
H01L023/532（3）
发明人 WADA M（3）
公开年 2011（2）
申请年 2010（3）
专利权人 TOSHIBA KK（3）

Semiconductor device has graphene layer with several graphenes which are laminated vertically.

WADA M, YAMAZAKI Y, KAJITA A, SAKATA A

Semiconductor device has wiring connector penetrating graphene nanoribbon sheets for connecting wiring and conductive portion above or below wiring.

AKIMOTO Y, WADA M

Semiconductor device has graphene layer that is provided in wiring trench so as to be along side and bottom surface of trench, and is provided on catalyst layer so as to be in contact with catalyst layer.

WADA M, MATSUNAGA N, AKIMOTO Y