国家/地区 韩国（4） 美国（4） 中国（2） 日本（2）
IPC部 H（4） B（3）
IPC大类 H01（4） B82（2）
IPC小类 H01L（4） B82Y（2）
IPC H01L021/336（4） H01L029/78（4） H01L029/06（3）
H01L029/16（3） B82Y099/00（2） H01L029/08（2）
H01L029/417（2） H01L029/772（2） H01L029/786（2）
发明人 YANG H J（4）
公开年 2013（4）
申请年 2012（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（4）

Three-dimensional zero gap semiconductor graphene switching device, has graphene layer surrounding end portion of semiconductor layer, and gate insulation layer surrounding graphene layer, where gate surrounds insulation layer.

HEO J, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, YANG H, CHUNG H, HEO J S, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, YANG H J, CHUNG H J

Electrode structure for semiconductor device e.g. FET used in electronic device, has graphene layer that is configured to contact one of semiconductor layer and electrode containing metal.

YANG H, PARK S, CHUNG H, HEO J, YANG H J, PARK S J, CHUNG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H

Graphene switching device with tunable barrier used as diode, triode, or transistor has graphene layer which is formed between semiconductor layer and gate substrate.

HEO J, CHUNG H, SONG H, PARK S, SEO D, YANG H, HEO J S, JEONG H J, SONG H J, PARK S J, DAVID S, YANG H J, CHUNG H J, HUH J, SONG C, SERIO D, JUNG H

Method for transferring graphene, involves forming trench on substrate, arranging graphene layer using additive liquid on substrate, pressurizing graphene layer on substrate, and removing additive liquid from substrate by drying.

SEOK S H, SEONG H J, JONG J H, JUN Y H, JUN P S, JAE S H, SEO D, HEO J, CHUNG H, YANG H, PARK S, SONG H, HEO J S, CHUNG H J, YANG H J, PARK S J, SONG H J